SI5402BDC-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI5402BDC-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI5402BDC-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventar:

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SI5402BDC-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
SI5402

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI5402BDC-T1-E3
HTML-Datenblatt
SI5402BDC-T1-E3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5402BDCT1E3
SI5402BDC-T1-E3TR
SI5402BDC-T1-E3CT
SI5402BDC-T1-E3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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