Hersteller Produktnummer:
SI4618DY-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4618DY-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/15.2A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12959845
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Menge
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SI4618DY-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A, 15.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1535pF @ 15V
Leistung - Max
1.98W, 4.16W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4618
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4618DY-T1-E3DKR
SI4618DYT1E3
SI4618DY-T1-E3TR
SI4618DY-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4816BDY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SI4816BDY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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