Hersteller Produktnummer:
SI4488DY-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4488DY-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
7457 Stück Neu Original Auf Lager
12915630
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI4488DY-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4488
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4488DYT1E3
SI4488DY-T1-E3CT
SI4488DY-T1-E3TR
SI4488DY-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFP14N60P
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
IXFX20N120P
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
IXFH32N48Q
MOSFET N-CH 480V 32A TO247AD
