Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SI4487DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4487DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 11.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12912323
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI4487DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1075 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4487
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SI4487DY-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI4487DY-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4487DY-T1-GE3DKR
SI4487DY-T1-GE3TR
SI4487DYT1GE3
SI4487DY-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4435DYTRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
43578
TEILNUMMER
SI4435DYTRPBF-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS3E075ATTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
10581
TEILNUMMER
RS3E075ATTB-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF7416TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
12235
TEILNUMMER
IRF7416TRPBF-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMP3036SSS-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
10421
TEILNUMMER
DMP3036SSS-13-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SI4435DY
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
25
TEILNUMMER
SI4435DY-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR9310TRLPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
IRFR224TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
SI7194DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8