SI4403CDY-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI4403CDY-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI4403CDY-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 13.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

20690 Stück Neu Original Auf Lager
12912563
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SI4403CDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2380 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4403

Datenblatt & Dokumente

Produkt-Zeichnungen
Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4403CDY-T1-GE3TR
SI4403CDY-T1-GE3-DG
SI4403CDY-T1-GE3CT
SI4403CDY-T1-GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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