Hersteller Produktnummer:
SI4186DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4186DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 35.8A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
4214 Stück Neu Original Auf Lager
12917434
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SI4186DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3630 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4186
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4186DY-T1-GE3TR
SI4186DY-T1-GE3-DG
SI4186DY-T1-GE3CT
SI4186DY-T1-GE3DKR
SI4186DYT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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