Hersteller Produktnummer:
SI3900DV-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI3900DV-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
4536 Stück Neu Original Auf Lager
12917750
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SI3900DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
830mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
SI3900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI3900DVT1GE3
SI3900DV-T1-GE3CT
SI3900DV-T1-GE3DKR
SI3900DV-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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