SI3851DV-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI3851DV-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3851DV-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

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12912752
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SI3851DV-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
LITTLE FOOT®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
SI3851

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI3851DV-T1-E3TR
SI3851DVT1E3
SI3851DV-T1-E3CT
SI3851DV-T1-E3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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