SI3493DV-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI3493DV-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3493DV-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

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SI3493DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
SI3493

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI3493DV-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI3493DV-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SI3493BDV-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
15439
TEILNUMMER
SI3493BDV-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDC604P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
912
TEILNUMMER
FDC604P-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDC608PZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
8750
TEILNUMMER
FDC608PZ-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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