Hersteller Produktnummer:
SI3460BDV-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI3460BDV-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
6561 Stück Neu Original Auf Lager
12959687
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SI3460BDV-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
SI3460
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI3460BDVT1E3
SI3460BDV-T1-E3CT
SI3460BDV-T1-E3TR
SI3460BDV-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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