SI3459BDV-T1-BE3
Hersteller Produktnummer:

SI3459BDV-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3459BDV-T1-BE3-DG

Beschreibung:

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 2.2A (Ta), 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

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SI3459BDV-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta), 2.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
216mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI3459BDV-T1-BE3TR
742-SI3459BDV-T1-BE3DKR
742-SI3459BDV-T1-BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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