SI3443DDV-T1-BE3
Hersteller Produktnummer:

SI3443DDV-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3443DDV-T1-BE3-DG

Beschreibung:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 4A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

11979 Stück Neu Original Auf Lager
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SI3443DDV-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta), 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
970 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI3443DDV-T1-BE3TR
742-SI3443DDV-T1-BE3CT
742-SI3443DDV-T1-BE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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