Hersteller Produktnummer:
SI2372DS-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2372DS-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
12913082
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SI2372DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
288 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2372
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2372DS-T1-GE3TR
SI2372DS-T1-GE3DKR
SI2372DS-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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