Hersteller Produktnummer:
SI2342DS-T1-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2342DS-T1-BE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 8 V 6A (Ta), 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
2875 Stück Neu Original Auf Lager
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SI2342DS-T1-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta), 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1070 pF @ 4 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI2342DS-T1-BE3CT
742-SI2342DS-T1-BE3DKR
742-SI2342DS-T1-BE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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