Hersteller Produktnummer:
SI2337DS-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2337DS-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
3383 Stück Neu Original Auf Lager
12918282
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI2337DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2337
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2337DS-T1-GE3TR
SI2337DS-T1-GE3DKR
SI2337DS-T1-GE3-DG
SI2337DST1GE3
SI2337DS-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI4404DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
SIHH14N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
