Hersteller Produktnummer:
SI2336DS-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2336DS-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
35483 Stück Neu Original Auf Lager
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SI2336DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2336
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2336DS-T1-GE3TR
SI2336DS-T1-GE3DKR
SI2336DST1GE3
SI2336DS-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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