Hersteller Produktnummer:
SI2333DS-T1-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2333DS-T1-BE3-DG
Beschreibung:
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
1300 Stück Neu Original Auf Lager
12977807
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SI2333DS-T1-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI2333DS-T1-BE3CT
742-SI2333DS-T1-BE3DKR
742-SI2333DS-T1-BE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI2333DS-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7100
TEILNUMMER
SI2333DS-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
SI2333DS-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
55285
TEILNUMMER
SI2333DS-T1-E3-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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