SI2325DS-T1-BE3
Hersteller Produktnummer:

SI2325DS-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI2325DS-T1-BE3-DG

Beschreibung:

P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

2984 Stück Neu Original Auf Lager
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SI2325DS-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
530mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI2325DS

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI2325DS-T1-BE3TR
742-SI2325DS-T1-BE3DKR
742-SI2325DS-T1-BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SI2325DS-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
17042
TEILNUMMER
SI2325DS-T1-E3-DG
Einheitspreis
0.33
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
SI2325DS-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
21148
TEILNUMMER
SI2325DS-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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