Hersteller Produktnummer:
SI2324DS-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2324DS-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
47703 Stück Neu Original Auf Lager
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SI2324DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
190 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2324
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2324DS-T1-GE3DKR
SI2324DS-T1-GE3CT
SI2324DS-T1-GE3TR
SI2324DS-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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