SI2319CDS-T1-BE3
Hersteller Produktnummer:

SI2319CDS-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI2319CDS-T1-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 3.1A (Ta), 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

12955038
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SI2319CDS-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
595 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2319

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI2319CDS-T1-BE3TR
742-SI2319CDS-T1-BE3CT
742-SI2319CDS-T1-BE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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