SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI2302CDS-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI2302CDS-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

37348 Stück Neu Original Auf Lager
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SI2302CDS-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
710mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2302

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI2302CDS-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI2302CDS-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2302CDS-T1-GE3CT
SI2302CDST1GE3
SI2302CDS-T1-GE3DKR
SI2302CDS-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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