Hersteller Produktnummer:
SI1972DH-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1972DH-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12916059
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Menge
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SI1972DH-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
75pF @ 15V
Leistung - Max
1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Basis-Produktnummer
SI1972
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1972DHT1GE3
SI1972DH-T1-GE3DKR
SI1972DH-T1-GE3TR
SI1972DH-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDG8850NZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
16226
TEILNUMMER
FDG8850NZ-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN3190LDW-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
16105
TEILNUMMER
DMN3190LDW-7-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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