SI1480DH-T1-BE3
Hersteller Produktnummer:

SI1480DH-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1480DH-T1-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

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SI1480DH-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
130 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
SI1480

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI1480DH-T1-BE3
HTML-Datenblatt
SI1480DH-T1-BE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI1480DH-T1-BE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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