Hersteller Produktnummer:
SI1467DH-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1467DH-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12912363
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SI1467DH-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
561 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
SI1467
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1467DH-T1-GE3DKR
SI1467DH-T1-GE3TR
SI1467DHT1GE3
SI1467DH-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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