Hersteller Produktnummer:
SI1450DH-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1450DH-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 8 V 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12913269
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI1450DH-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.05 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
535 pF @ 4 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta), 2.78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
SI1450
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFK80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO264
IRL620SPBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8