SI1433DH-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI1433DH-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1433DH-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 1.9A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6

Inventar:

12914514
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SI1433DH-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
950mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
SI1433

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDG316P
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5479
TEILNUMMER
FDG316P-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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