Hersteller Produktnummer:
SI1414DH-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1414DH-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12912602
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SI1414DH-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
SI1414
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1414DH-T1-GE3DKR
SI1414DH-T1-GE3CT
SI1414DH-T1-GE3TR
SI1414DH-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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