Hersteller Produktnummer:

SI1079X-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1079X-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 30 V 1.44A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-89-6

Inventar:

6000 Stück Neu Original Auf Lager

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SI1079X-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

1.44A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

2.5V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.4A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

750 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

330mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

SC-89-6

Paket / Koffer

SOT-563, SOT-666

Basis-Produktnummer

SI1079

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

SI1079X-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

742-SI1079X-T1-GE3DKR

742-SI1079X-T1-GE3CT

742-SI1079X-T1-GE3TR

SI1079X-T1-GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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