Hersteller Produktnummer:
SI1072X-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1072X-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
12919362
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SI1072X-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
236mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89 (SOT-563F)
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SI1072
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1072XT1E3
SI1072X-T1-E3CT
SI1072X-T1-E3TR
SI1072X-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM6K202FE,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
21141
TEILNUMMER
SSM6K202FE,LF-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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