Hersteller Produktnummer:
SI1058X-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1058X-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
12912155
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SI1058X-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
91mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.55V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
380 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
236mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89 (SOT-563F)
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SI1058
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1058X-T1-E3TR
SI1058X-T1-E3DKR
SI1058XT1E3
SI1058X-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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