SI1050X-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI1050X-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1050X-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 8 V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

Inventar:

12914918
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SI1050X-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.34A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
86mOhm @ 1.34A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
585 pF @ 4 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
236mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89 (SOT-563F)
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SI1050

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1050X-T1-E3DKR
SI1050X-T1-E3TR
SI1050XT1E3
SI1050X-T1-E3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SI1050X-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
56729
TEILNUMMER
SI1050X-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.13
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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