Hersteller Produktnummer:
SI1032X-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1032X-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
12913809
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SI1032X-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89-3
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Basis-Produktnummer
SI1032
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1032XT1E3
SI1032X-T1-E3TR
SI1032X-T1-E3CT
SI1032X-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI1032X-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
6434
TEILNUMMER
SI1032X-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
Direct
Teilenummer
FDY301NZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
312
TEILNUMMER
FDY301NZ-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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