SI1032R-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI1032R-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1032R-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A

Inventar:

16662 Stück Neu Original Auf Lager
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SI1032R-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
140mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-75A
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer
SI1032

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1032RT1GE3
SI1032R-T1-GE3CT
SI1032R-T1-GE3TR
SI1032R-T1-GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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