Hersteller Produktnummer:
SI1011X-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1011X-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V SC89-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 480mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
12913409
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SI1011X-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
480mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
640mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
62 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89-3
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Basis-Produktnummer
SI1011
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1011X-T1-GE3DKR
SI1011X-T1-GE3CT
SI1011X-T1-GE3TR
SI1011XT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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