Hersteller Produktnummer:
SI1002R-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1002R-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 610mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Inventar:
12919759
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SI1002R-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
610mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
36 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
220mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-75A
Paket / Koffer
SC-75A
Basis-Produktnummer
SI1002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI1022R-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
35485
TEILNUMMER
SI1022R-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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