Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRLR110TRPBF-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRLR110TRPBF-BE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13000409
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLR110TRPBF-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.6A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IRLR110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-IRLR110TRPBF-BE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLR110TRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
19228
TEILNUMMER
IRLR110TRPBF-DG
Einheitspreis
0.31
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI2305CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
G30N03D3
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
DMP1011LFVQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMT69M5LFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333