Hersteller Produktnummer:
IRL630SPBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRL630SPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12913792
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Menge
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IRL630SPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRL630
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRL630SPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCJ120N20TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
33
TEILNUMMER
RCJ120N20TL-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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