IRFR210TRLPBF-BE3
Hersteller Produktnummer:

IRFR210TRLPBF-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFR210TRLPBF-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

5996 Stück Neu Original Auf Lager
12945832
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRFR210TRLPBF-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IRFR210

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFR210TRLPBF-BE3
HTML-Datenblatt
IRFR210TRLPBF-BE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-IRFR210TRLPBF-BE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI1499DH-T1-BE3

MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6

vishay-siliconix

SIHP12N60E-BE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

vishay-siliconix

IRF720PBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB

vishay-siliconix

SI1441EDH-T1-BE3

MOSFET P-CH 20V 4A/4A SC70-6