IRFL110TRPBF-BE3
Hersteller Produktnummer:

IRFL110TRPBF-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFL110TRPBF-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventar:

3936 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFL110TRPBF-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
IRFL110

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Power MOSFET

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
742-IRFL110TRPBF-BE3TR
742-IRFL110TRPBF-BE3DKR
742-IRFL110TRPBF-BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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