IRFIB5N65APBF
Hersteller Produktnummer:

IRFIB5N65APBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFIB5N65APBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

927 Stück Neu Original Auf Lager
12909554
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IRFIB5N65APBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
930mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1417 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IRFIB5

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFIB5N65APBF
HTML-Datenblatt
IRFIB5N65APBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFIB5N65APBF

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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