Hersteller Produktnummer:
IRFI640GPBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFI640GPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1352 Stück Neu Original Auf Lager
12959387
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IRFI640GPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IRFI640
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFI640GPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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