IRFD9014PBF
Hersteller Produktnummer:

IRFD9014PBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFD9014PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventar:

8447 Stück Neu Original Auf Lager
12912428
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRFD9014PBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-HVMDIP
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Produktnummer
IRFD9014

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
*IRFD9014PBF

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

IRFP22N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

vishay-siliconix

IRFP140PBF

MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3

vishay-siliconix

IRFSL31N20DTRR

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK

vishay-siliconix

SI5857DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET