Hersteller Produktnummer:
IRFD9010PBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFD9010PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 50 V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
312 Stück Neu Original Auf Lager
12868793
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IRFD9010PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 580mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-HVMDIP
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Produktnummer
IRFD9010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
*IRFD9010PBF
2266-IRFD9010PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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