IRFD214

Hersteller Produktnummer:

IRFD214

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFD214-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 250 V 450mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventar:

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12904675

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IRFD214 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

250 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

450mA (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 270mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

140 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

4-HVMDIP

Paket / Koffer

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Basis-Produktnummer

IRFD214

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

*IRFD214

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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