Hersteller Produktnummer:
IRFD120
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFD120-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12911956
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Menge
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IRFD120 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-HVMDIP
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Produktnummer
IRFD120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
*IRFD120
IRFD122
IRFD121
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFD120PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5890
TEILNUMMER
IRFD120PBF-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IRFD123PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
6628
TEILNUMMER
IRFD123PBF-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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