IRFD113

Hersteller Produktnummer:

IRFD113

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFD113-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

Inventar:

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12904839

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IRFD113 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

800mA (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 800mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

200 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

4-HVMDIP

Paket / Koffer

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Basis-Produktnummer

IRFD113

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer

IRFD113PBF

HERSTELLER

Vishay Siliconix

VERFÜGBARE ANZAHL

2315

TEILNUMMER

IRFD113PBF-DG

Einheitspreis

0.81

ERSATZART

Direct

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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