Hersteller Produktnummer:
IRFBF30STRLPBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFBF30STRLPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
911 Stück Neu Original Auf Lager
12908061
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFBF30STRLPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRFBF30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
IRFBF30STRLPBFCT
IRFBF30STRLPBFTR
IRFBF30STRLPBFDKR
IRFBF30STRLPBF-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
IRF820LPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
