IRFBE20STRR

Hersteller Produktnummer:

IRFBE20STRR

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFBE20STRR-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12914519

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

IRFBE20STRR Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

800 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

530 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

TO-263 (D2PAK)

Paket / Koffer

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis-Produktnummer

IRFBE20

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

800

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFP360LCPBF

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

littelfuse

IXTT360N055T2

MOSFET N-CH 55V 360A TO268

littelfuse

IXFH35N30

MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD