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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRFBC20
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFBC20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
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12869869
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IRFBC20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFBC20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRFBC20
HTML-Datenblatt
IRFBC20-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
*IRFBC20
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBC20PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7738
TEILNUMMER
IRFBC20PBF-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IRFBC20PBF-BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
975
TEILNUMMER
IRFBC20PBF-BE3-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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