Hersteller Produktnummer:
IRFB9N30A
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFB9N30A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12867786
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IRFB9N30A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFB9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFB9N30A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP12NK30Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
508
TEILNUMMER
STP12NK30Z-DG
Einheitspreis
0.99
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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